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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices par [Palankovski, Vassil, Quay, Rüdiger]
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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices Format Kindle


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EUR 139,21

Longueur : 309 pages Langue : Anglais

Descriptions du produit

Présentation de l'éditeur

The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices.


Détails sur le produit

  • Format : Format Kindle
  • Taille du fichier : 7008 KB
  • Nombre de pages de l'édition imprimée : 289 pages
  • Editeur : Springer; Édition : Softcover reprint of the original 1st ed. 2004 (18 décembre 2003)
  • Vendu par : Amazon Media EU S.à r.l.
  • Langue : Anglais
  • ASIN: B000QCS4YQ
  • Synthèse vocale : Activée
  • X-Ray :
  • Word Wise: Non activé
  • Composition améliorée: Non activé
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